Neues Leak zum Snapdragon 8 Gen 4 enthüllt vorläufiges Startfenster und Geekbench-Leistung

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Weitere Informationen zum Snapdragon 8 Gen 4 sind über die Digital Chat Station auf Weibo durchgesickert. Der Leaker sagt, dass die Veröffentlichung des SoC für Mitte Oktober geplant ist, was mit der Ankündigung von Qualcomm übereinstimmt. Dies sagt uns stillschweigend, dass der SoC der Xiaomi 15-Serie, der ersten Smartphones mit Silizium, zumindest in China früher als üblich auf den Markt kommen könnte.

Diese Informationen folgen einer Snapdragon 8 Gen 4-Benchmark-Analyse eines Referenzmusters des Snapdragon 8 Gen 4, die das Kernlayout des Prozessors bestätigte, obwohl seine Leistung zu wünschen übrig lässt. Das oben genannte Beispiel lief jedoch nicht mit voller Kapazität. Seine zwei leistungsstarken Kerne können 4,0 GHz erreichen, was ihm dabei half, im Geekbench 6 rund 2.700 Punkte für einen einzelnen Kern zu erzielen, was bei weitem nicht ausreicht, um Apples Silizium zu schlagen, aber dennoch beeindruckend.

Ebenso kann der Snapdragon 8 Gen 4 im Multi-Core-Test des Benchmarks potenziell 10.000 Punkte erreichen. Das reicht zwar aus, um alles zu schlagen, was Apple zu bieten hat, es könnte jedoch starke Konkurrenz durch den MediaTek Dimensity 9400 bekommen, der Gerüchten zufolge die Performance-Kern-Konfiguration seines Vorgängers nachahmt. Dann gibt es noch den Samsung Exynos 2500, hergestellt für 3GAP. Samsungs Exynos 2500, hergestellt für 3GAP.

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